真空镀膜技术过程分三个步骤：一是膜材的气化;二是真空的运输：三是薄膜的生长。 真空镀膜技术的三个基本要素为；真空室、膜材料、基体。

          真空镀膜的特点主要有：能在固态的基体上镀制包括金属、合金、半导体薄膜,而且薄膜的成分可以任意调控,能镀制高纯度、高密度、附着力强的各种功能薄膜、光学薄膜,电子薄膜等等。

          真空镀膜技术的环保优点也不容忽视,比化学方法更易制成高纯度的薄膜,但是设备较贵、成本较高。目前先端科研以及产业技术发展越来越迅速,当今人类所面临的几大课题:环境、能源、生命和材料都与真空镀膜技术的发展密切相关,这些产业对真空镀膜技术所提出的要求也越来越高,这使得真空镀膜技术得到广泛的发展与应用,同时工业化对镀膜的质量要求也不断提高。例如纳米微型电子器件在未来可能会朝着有机和无机复合的方向发展,这些器件可能需要有较高的纯度和性能；这些高纯度,高性能的器件对制备环境的清洁度也就要求更高。在真空环境中制备这些器件可以提高其纯度,这将増大纳米器件组装成功的希望，纳米电子器件的组装需要很平整的基底 ，这些基底可以用真空镀膜的方法制备出来。

          总之纳米微型电子器件,微型集成电路的高速发展必将带领真空镀膜技术进入一个高科技时代。如有想了解真空镀膜的，欢迎致电：18018743855  0755-27865425